ICPドライエッチング装置
ボッシュプロセス法によってシリコン基板をフォトレジストをマスクとして高アスペクト比加工が可能である。
利用状況 | 設備利用・予約可 |
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対応分野 |
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使用目的 |
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メーカー | 住友精密工業(株) |
型式・番号 | MUC-21 ASE-SRE |
導入年度 | 2006年度 |
ポイント・仕様 |
対応基板:4インチシリコンウエハー、ガラス付シリコンウエハー ボッシュプロセス対応、 SOI基板対応 シリコンエッチレート:2μm/min以上(条件による) |
用途 | シリコン基板の深掘り加工、センサやシリコン金型などの垂直加工構造の形成 |
活用事例 | |
利用上の注意 | ガス等原材料費の実費を別途徴収します。 |
使用料(県内)円/時間 | 2830 |
使用料(県外)円/時間 | 4240 |
設置場所(所属名) | 産業技術研究開発センター |
担当機関 | ものづくり研究開発センター |
郵便番号 | 〒933-0981 |
所在地 | 富山県高岡市二上町150 |
TEL | 0766-21-2121 |
FAX | 0766-21-2402 |
備考 |